Graphenea已经开始销售GFET（石墨烯场效应晶体管），旨在降低采用石墨烯的障碍，尤其是传感器市场。需要GFET用于其应用的研究人员，无论是在气体，生物传感还是其他应用中，现在都可以推出高质量的GFET器件。

Graphenea首先推出了两种标准的GFET-for-sensing配置，称为GFET-S10和GFET-S20，每个配置在一平方厘米的芯片上包含36个单独的GFET，但器件布局不同。GFET-S10具有均匀分布在管芯上的器件，GFET-S20的器件集中在管芯的中心，电源焊盘位于管芯边缘。GFET-S20器件均具有2探头几何结构，用于在探测期间探测电气特性，而GFET-S10具有30个具有霍尔杆几何结构的器件和6个具有2探针几何结构的器件。霍尔棒可实现磁场感应，除了石墨烯设备研究，生物电子学，生物传感，化学传感和光电探测器等应用，2探针几何结构也允许。

在接下来的几个月里，Graphenea计划在定制的安排中为相同的高质量GFET推出定制设计服务。

来自Graphenea的新器件具有超过1000cm 2 / V * s的特定载流子迁移率，低于2×10 12 cm -2的残余电荷载流子密度，10至40V之间的Dirac点，以及高于75％的产率。GFET采用标准Si / SiO2衬底制造，具有Ni / Al金属触点。