由石墨烯和氮化硼制成的器件为自旋电子学应用带来了前所未有的前景

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格罗宁根大学的研究人员开发出一种由2D片状石墨烯和氮化硼制成的器件,在室温下显示出前所未有的自旋运输效率。

石墨烯-BN器件具有高旋转传输效率

该研究由欧盟10亿美元的石墨烯旗舰公司资助,使用单层石墨烯作为核心材料。研究人员说,石墨烯是旋转传输的一种很好的材料 - 但是石墨烯中的自旋不能被操纵。为了在器件中克服这一点,石墨烯夹在两层氮化硼之间,整个结构位于硅上。

量子隧穿用于通过顶部BN绝缘层注入自旋(实际上是3层厚,因为单层材料被证明太薄而不能屏蔽石墨烯中的电子免受外部影响)。研究人员表示,该装置中的自旋极化非常强 - 是其他设备中通常观察到的十倍。



(文章源于graphene-info网,由石墨烯材料网 www.91shimoxi.com 翻译编辑整理)


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