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据报道，三菱公司开发出具有极高灵敏度的基于石墨烯的MWIR传感器。由于内部石墨烯FET增益，据说响应度比没有内部放大的量子型IR传感器高10倍。三菱使用石墨烯FET并利用其高电子迁移率。
除了基于石墨烯的FET之外，报告还表明存在“光放大部件”，其产生光电子和光孔并且位于石墨烯下面。在例如80K的非常低的温度下，响应度增加甚至更多，达到100倍。
据报道，三菱还开发了使用电介质进行光放大的LWIR传感器。现有的量子型LWIR传感器通过冷却至液氮温度来降低热噪声。三菱声称，采用新方法，传感器可以在室温下工作。
（文章源于graphene-info网，由石墨烯材料网 www.91shimoxi.com 翻译编辑整理）
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