来自汉堡大学和Graphenea的研究人员成功地将高质量的石墨烯器件升级到100微米及更高规模。通过完善CVD石墨烯的生产，转移和图案化工艺，该团队成功地观察了超过100微米的器件中的量子霍尔效应，其电子特性与微机械剥离器件相当。

这项工作始于通过化学气相沉积（CVD）在铜基板上生长的石墨烯。由于金属上的石墨烯不适用于电子学中的应用，因此通常在使用前将材料转移到另一个基板上。事实证明，转移过程是一项挑战，在许多情况下会导致裂缝，缺陷和化学杂质，从而降低石墨烯的质量。

据报道，在这项工作中，研究人员优化了转移和图案化过程的每一步，从而使大面积的石墨烯具有前所未有的质量。铜的转移是在连续八个步骤中进行的，产生电接触需要三个步骤。尽管用标准蚀刻溶液去除铜，但是通过两个反应性化学蚀刻步骤清洁石墨烯的底侧以去除有机和无机污染物。此外，在该方法的其他步骤中，例如聚合物去除，标准化学品被精心挑选的化学品替换，以避免石墨烯损坏。

该团队表示，优化处理可在所需的Si / SiO2基板上形成无泪石墨烯。进行进一步处理以实现用于电测量的金属触点。器件的电气性能在真空和低温下测量，显示出多量子霍尔水平。大尺度上的量子霍尔效应开启了使用石墨烯进行通用电阻标准测量的方法，希望能够更精确地测量电子电荷和普朗克常数。

石墨烯器件的电荷中性点接近零栅极电压，这表明材料纯度非常高。也许最重要的是，测得的载流子迁移率高达3760 cm2 /（Vs），这表明CVD石墨烯是电子应用的理想选择。提高100微米以上的高质量石墨烯器件产量对于商业生产至关重要。该研究的作者预测这些器件可用于太赫兹发射器，热功率耦合器以及可能的柔性薄膜传感器。