印度和日本的研究人员已经开发出一种改进的方法，用于使用基于石墨烯的晶体管来检测致病基因。

该团队改进了可通过DNA杂交检测基因的传感器，这种传播发生在“探针DNA”与其互补的“靶DNA”结合时。当发生杂交时，晶体管中的电传导发生变化。通过干燥过程将探针DNA连接到晶体管来完成改进。这消除了对“连接子”核苷酸序列的昂贵且耗时的添加的需要，所述“连接子”核苷酸序列通常用于将探针连接到晶体管。

研究小组设计的GFET由沉积在硅衬底上的石墨烯上的钛金电极组成。然后，他们将DNA探针在盐水溶液中沉积到GFET上并使其干燥。他们发现这种干燥过程导致探针DNA直接固定在石墨烯表面上，而不需要接头。然后将也在盐溶液中的靶DNA加入晶体管中并孵育4小时以进行杂交。

据报道，GFET使用这种制备方法成功运行。当探针和靶标结合时，检测到电传导的变化，表明存在有害的靶基因。当应用其他非互补DNA时，传导没有改变。

DNA杂交通常通过用荧光染料标记靶标来检测，荧光染料与其探针结合时会发亮。但是这种方法涉及复杂的标记程序，并且需要昂贵的激光扫描仪来检测荧光强度。GFET可以成为检测遗传疾病的更便宜，更易操作和更灵敏的替代方案。

研究人员在他们的研究中总结说：“可以探索这种GFET器件的进一步发展，为未来的生物传感器应用提供更高的性能，特别是在遗传疾病的检测方面。”