来自IEMN-CNRS，Graphenea和诺基亚的科学家们展示了灵活的石墨烯晶体管，其截止频率达到创纪录的39 GHz。在柔性聚合物基板上制造的石墨烯器件对于弯曲和反复弯曲的疲劳是稳定的。

石墨烯场效应晶体管（GFET）由高质量CVD生长的石墨烯制成，在柔性Kapton衬底上具有~2500cm 2 V-1s-1的载流子迁移率，在沟道区域中具有薄的氧化铝介电间隔物。使用这种复杂和优化的材料可以实现创纪录的高频性能以及抗弯曲的稳定性。据报道，即使经过1,000次弯曲循环，GFET仍可继续工作，并可弯曲半径为12 mm，截止频率偏移高达10％。

测试该器件的热稳定性，这是柔性电子器件中的一个重要问题，因为这种器件中通常使用的聚合物基板的导热性差。研究人员表明，在高压偏压下，器件会升温，性能会不可逆转地降低。然而，这项关于柔性GFET的新研究不仅创造了带宽的新记录，而且证明了这些器件在高偏压下常见的退化来自于衬底的热变形。随着对这一方向的研究的进展，灵活的GFET作为未来可穿戴技术的构建模块具有巨大的潜力，这一点越来越明显。