UCSB团队设计了兼容CMOS的石墨烯互连

来自圣巴巴拉加利福尼亚大学的研究人员将于下个月在世界著名的半导体技术会议——IEEE国际电子器件会议（12月1日至5日在旧金山）发表一篇关于CMOS兼容石墨烯互连的论文。

研究小组已经表明，将石墨烯集成到互连方案中有可能提高下一代CMOS集成电路的性能并限制功耗，因为石墨烯具有高导电性，不易发生电迁移。

实际应用的主要挑战之一是形成石墨烯（800-1000℃）所需的高温，这会损坏在生产线前端已经制造的有源器件。

加利福尼亚大学圣巴巴拉分校的研究人员将报告一种新的方法，其中低温（300℃）压力辅助固相扩散过程能够生长和掺杂多层CMOS兼容石墨烯纳米带。

这些纳米带的接触电阻（<20Ω-μm）明显低于铜互连，器件性能提高了约4倍，在100℃下，在100 mA/cm2下的电迁移可以忽略不计。

这些结果为开发硅基CMOS集成电路中石墨烯独特的电学特性提供了一种实用的、行业兼容的方法。