国王阿卜杜拉科技大学（KAUST）与佐治亚理工学院合作的研究人员最近展示了一种简单的，基于解决方案的方法，使用新型掺杂剂（金属 - 表面掺杂少量石墨烯（FLG）有机分子）与其他掺杂剂如金属氯化物相比，对光传输的影响最小。

这项工作研究了掺杂剂强度和剂量对掺杂FLG的电子和电子传输性质的影响。此外，它揭示了单层石墨烯和少层石墨烯的掺杂结果之间的根本差异。该研究的重点是几层CVD石墨烯，而不是单层CVD石墨烯，这是迄今为止研究较少的一个领域。

该团队表示，它为TCE应用（透明导电电极）提供了多层石墨烯的多功能和简便的掺杂方法，这可以为石墨烯的商业化打开大门，石墨烯可替代电子和光电子中的ITO，触摸屏等应用，通过增加品质因数并提供大范围的功函数可调性。

在这项工作中，研究人员调整了FLG的电子，光学和传输特性。他们通过表面电子转移在2.4eV（2.9至5.3eV）的范围内调节石墨烯的功函数。FLG电导率的显着改善归因于载流子密度的增加，通过库仑散射略微降低了迁移率。据报道，单层石墨烯的迁移率通过类似的表面掺杂比FLG显着降低。掺杂剂剂量影响FLG的性质并揭示掺杂剂覆盖的最佳窗口以获得最佳传输性能，其中掺杂剂分子聚集成FLG表面上的小且隔离的簇。