来自意大利ISOF-CNR，那不勒斯大学“Federico II”和UniversitàdiModena e Reggio Emilia的研究人员开发出了基于CVD石墨烯片的新型有机n型FET晶体管（OFET）。研究人员表示，他们使用的新工艺和材料可以实现灵活，透明和短通道的OFET - 这可以在未来用于OLED或OLET（有机发光晶体管）显示器。

为了制造新的晶体管，研究人员使用PDIF-CN2（per二酰亚胺衍生物）的热蒸发薄膜作为晶体管有源沟道的有机半导体，采用单层CVD石墨烯（在意大利IIT研究所种植）作为电极材料。最终的器件架构是通过电子束光刻（EBL）和反应离子蚀刻（RIE）制造的。

研究人员解释说，这些新型OFET利用了石墨烯优异的机械，光学和电学性能。目前，石墨烯在薄层电阻和透明度方面与更常用的透明电极材料（如ITO和其他碳基替代品）缩小了差距。

该研究小组的下一步是实现高频器件并实现基于石墨烯的OFET的MHz操作。