石墨烯和hBN用于开发2D RRAM存储器件

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来自中国苏州大学的研究人员开发了一种基于石墨烯和六方氮化硼（hBN）片的二维RRAM器件结构。该器件采用石墨烯/ hBN /石墨烯结构，具有出色的整体贴合效果。

2D石墨烯/ hBN RRAM设计

这仍然只是一个理论模型，但它可能被证明是高性能RRAM设备的基础。


（文章源于graphene-info网，由石墨烯材料网 www.91shimoxi.com 翻译编辑整理）


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